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2SC3279-L-AP

包裝：帶盒（TB） 封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 10V 2A TO92

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC3279

NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC3279

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3279

NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3279

TRANSISTOR(NPN)

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SC3279

TRANSISTOR(NPN)

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SC3279

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC3279-L

NPNSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-L

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-M

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-M

NPNSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-N

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-N

NPNSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-P

NPNSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SC3279-P

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

ST2SC3279

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forstoroboflashandmediumpoweramplifier applications. ThetransistorissubdividedintofourgroupsL,M, NandP,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    2SC3279-L-AP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    140 @ 500mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線

  • 供應商器件封裝：

    TO-92

  • 描述：

    TRANS NPN 10V 2A TO92

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micro Commercial Co
2022+
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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Micro Commercial Co
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更多2SC3279-L-AP供應商 更新時間2025-1-6 15:00:00

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