2SC3326-B,LF_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號:2SC3326-B,LF品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:TRANS NPN 20V 0.3A TO236

2SC3326-B,LF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的2SC3326-B,LF晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號:

    2sc3326-b,lf

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    TRANS NPN 20V 0.3A TO236

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC3326-B,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 3mA,30mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    350 @ 4mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 0.3A TO236

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