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2SC3332R分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SC3332R
廠商型號

2SC3332R

參數(shù)屬性

2SC3332R 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

功能描述

Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

文件大小

79.63 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-7 16:56:00

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2SC3332R規(guī)格書詳情

2SC3332R屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SC3332R晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Features

? Hgih breakdown voltage

? Excellent hFE linearity

? Wide SOA and highly resistant to breakdown

? Adoption of MBIT process

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2SC3332R

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

  • 供應商器件封裝:

    3-NP

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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12500
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18000
原裝正品
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原裝現(xiàn)貨
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