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2SC3357-T1-A

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

CEL

California Eastern Labs

2SC3357-T1-A

Package:TO-243AA;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

2SC3357-T1

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD

FEATURES ?Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz ?Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz ?LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SC3357-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    6.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    1.2W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS
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更多2SC3357-T1-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-12 16:16:00