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2SC3552

SINPNPOWERBJT,I(C)=10ATO19.9A

SINPNPOWERBJT,I(C)=10ATO19.9A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SC3552

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighBreakdownVoltage ·HighSwitchingSpeed ·WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ·Designedforswitchingregulatorapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3552

ForSwitchingRegulators

800V/12ASwitchingRegulatorApplications Features ?Highbreakdownvoltageandhighreliability. ?Fastswitchingspeed(tf:0.1μstyp). ?WideASO. ?AdoptionofMBITprocess.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SC3552

SiliconEpitaxialPlanarTransistor(GENERALDESCRIPTION)

GENERALDESCRIPTION SiliconNPNhighfrequency,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

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HITACHI
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更多2SC3552L供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 9:30:00

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