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2SC3583分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC3583
廠商型號

2SC3583
參數(shù)屬性

2SC3583 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

103.74 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 15:09:00

晶體管資料

  • 型號：

    2SC3583

  • 別名：

    2SC3583三極管、2SC3583晶體管、2SC3583晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.065A

  • 最大工作頻率：

    9GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC3606,2SC3730,2SC3904,

  • 最大耗散功率：

    0.6W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    20

  • htest：

    9000000000

  • atest：

    0.065

  • wtest：

    0.6

2SC3583規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide

dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (DNP process) which is an NEC proprietary new fabrication technique.

FEATURES

? NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz

? Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC3583-T1B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益：

    13dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    65mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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