2SC3583分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2SC3583 |
參數(shù)屬性 | 2SC3583 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 |
功能描述 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
1.05755 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-24 10:09:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2SC3583三極管、2SC3583晶體管、2SC3583晶體三極管
- 生產廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質:
表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)
- 封裝形式:
貼片封裝
- 極限工作電壓:
20V
- 最大電流允許值:
0.065A
- 最大工作頻率:
9GHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
2SC3606,2SC3730,2SC3904,
- 最大耗散功率:
0.6W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
H-15
- vtest:
20
- htest:
9000000000
- atest:
0.065
- wtest:
0.6
2SC3583規(guī)格書詳情
2SC3583屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產的2SC3583晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION
The NE68133 / 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (DNP process) which is a proprietary new fabrication technique.
FEATURES
? NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz
? Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz
產品屬性
更多- 產品編號:
2SC3583-T1B-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
9GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
13dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 20mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
1950+ |
SOT23 |
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