首頁>2SC3585-T1B-A>詳情

2SC3585-T1B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 NEC/瑞薩

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    2SC3585-T1B

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    3000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    16+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-9 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：2SC3585-T1B品牌：NEC

原裝現(xiàn)貨假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    2SC3585-T1B

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱：

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    103.63 kb

  • 資料說明：

    MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SC3585-T1B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.8dB @ 2GHz

  • 增益：

    9dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 10mA，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市弘為電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    藍(lán)先生

  • 手機(jī)：

    13824584784/13378669343

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23942419

  • 傳真：

    0755-82780053

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北鼎城國(guó)際2011

相近型號(hào)