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2SC3649T-TD-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SC3649T-TD-E
廠商型號(hào)

2SC3649T-TD-E

參數(shù)屬性

2SC3649T-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 1.5A PCP

功能描述

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity
TRANS NPN 160V 1.5A PCP

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

354.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 18:05:00

2SC3649T-TD-E規(guī)格書詳情

2SC3649T-TD-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SC3649T-TD-E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Features

? Adoption of FBET, MBIT processes

? High breakdown voltage and large current capacity

? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SC3649T-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PCP

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 1.5A PCP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SONY
15+
SOT89
747
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ON/安森美
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一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
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1983
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ONSEMI
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16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
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三洋/SANYO
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原裝正品現(xiàn)貨
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22+
SOT89
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十
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ON(安森美)
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