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2SC3669-Y(T2OMI,FM

包裝:散裝 封裝/外殼:SC-71 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 80V 2A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

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2SC3669-Y,T2PASF(M

包裝:散裝 封裝/外殼:SC-71 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 80V 2A MSTM

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2SC3669

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC3669

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3669

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS ???????POWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES *Lowsaturationvoltage VCE(SAT)=0.5V(Max.) *Highspeedswitchingtime:TSTG=1.0μs(Typ.)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC3669

NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1429

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC3669-Y(T2OMI,FM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    SC-71

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MSTM

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 2A MSTM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
MSTM
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多2SC3669-Y供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 8:24:00