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2SC4793,TOA1F(J

Package:TO-220-3 整包;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793

NPNSILICONTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC4793

SiliconNPNPowerTransistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SC4793

PowerAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC4793

PowerAmplifierApplications

FEATURES ?Highcollectorvoltage?VCEO=230V(min) ?Complementaryto2SA1937 ?Hightransitionfrequency:fT=100MHz(Typ.) ?RoHSproduct APPLICATIONS ?PowerAmplifierApplications

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

2SC4793

NPNSiliconPowerTransistors

Features ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ?Complementaryto2SA1837

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC4793

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC4793

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC4793

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC4793

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) ?HighCurrent-GainBandwidthProduct ?ComplementtoType2SA1837 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC4793,TOA1F(J

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-220NIS
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更多2SC4793,TOA1F(J供應(yīng)商 更新時間2025-2-12 15:00:00