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2SC5010-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5010-T1
廠商型號

2SC5010-T1

參數(shù)屬性

2SC5010-T1 封裝/外殼為SOT-523;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

封裝外殼

SOT-523

文件大小

61.48 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 23:00:00

2SC5010-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SC5010 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (NEST3 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

? Low Voltage Use.

? High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)

? Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)

? Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 3 mA, f = 2 GHz)

? High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)

? Ultra Super Mini Mold Package.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5010-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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