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2SC5180	文件：54.28 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSUPERMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=12dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=11dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?SupperMini-Moldpackage	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5180	文件：278.4 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTOR FORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION 4-PINSUPERMINIMOLD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5180-T1	文件：278.4 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTOR FORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION 4-PINSUPERMINIMOLD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5181	文件：50.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?UltraSuperMini-Moldpackage	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5181	文件：1.15205 Mbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5181-T1	文件：50.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz ?UltraSuperMini-Moldpackage	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5181-T1	文件：1.15205 Mbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5182	文件：56.08 Kbytes Page：12 Pages	NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lownoise ?NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?Mini-MoldpackageEIAJ:SC-59	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5182	文件：196.62 Kbytes Page：21 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE687seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcost,lownoiseapplications.Excellentperformanceatlowvoltage/lowcurrentmakesthisseriesanidealchoiceforportablewirelessapplicationsat1.6,1.9and2.4GHz.TheNE687dieisavailableinsixdif	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5182	文件：187.63 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPSEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5182-T1	文件：56.08 Kbytes Page：12 Pages	NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lownoise ?NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?Mini-MoldpackageEIAJ:SC-59	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5182-T1	文件：187.63 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPSEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5182-T2	文件：56.08 Kbytes Page：12 Pages	NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?Lownoise ?NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?Mini-MoldpackageEIAJ:SC-59	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5182-T2	文件：187.63 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPSEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5183	文件：60.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES ?LowNoise ?NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?4-pinMini-MoldpackageEIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5183	文件：196.62 Kbytes Page：21 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE687seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcost,lownoiseapplications.Excellentperformanceatlowvoltage/lowcurrentmakesthisseriesanidealchoiceforportablewirelessapplicationsat1.6,1.9and2.4GHz.TheNE687dieisavailableinsixdif	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5183	文件：190.23 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLD PACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?LowNoise ?NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC518383R	文件：196.62 Kbytes Page：21 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE687seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcost,lownoiseapplications.Excellentperformanceatlowvoltage/lowcurrentmakesthisseriesanidealchoiceforportablewirelessapplicationsat1.6,1.9and2.4GHz.TheNE687dieisavailableinsixdif	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC5183R	文件：210.38 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage SOT-143style(Pinsforoverseasuseareass	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SC5183R-T1	文件：210.38 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES ?Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz ?4-pinMini-Moldpackage SOT-143style(Pinsforoverseasuseareass	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC5180
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_SHF
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
5V
最大電流允許值：
0.01A
最大工作頻率：
12GHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號(hào)：
2SC4844,2SC4994,2SC5098,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-17
vtest：
5
htest：
12000000000
atest：
0.01
wtest：
0

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	2SC5180	RENESAS/瑞薩	24+	SOT343	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	2SC5180	RENESAS/瑞薩	23+	SOT343	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC5180	NEC	24+	SOT-343SOT-323-4	18200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	2SC5180	NEC	23+	SOT-343	31000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SC5180	NEC	16+	原廠封裝	2500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	2SC5180	NEC	2023+	SOT-343	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	2SC5180	NEC	1922+	SOT-343	35689	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC5180		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SC5180,2SK968-2,AZ431AR-B	SOT-343	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC5180-T1-A	NEC	20+	SOT343	49000	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多2SC518供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-29 13:48:00

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