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2SC5198	文件：949.79 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Features Recommendfor70Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage,Complementaryto2SA1941. Applications Poweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC5198	文件：171.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：368.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage ●GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications ●Recommendfor70WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStageApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC5198	文件：238.92 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage?VCEO=140V(min) ●Complementaryto2SA1941 ●Recommendedfor70-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：303.07 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Min)@IC=7A ?GoodLinearityofhFE ?ComplementtoType2SA1941 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor70Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5198	文件：169.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-3P(I)package ?Complementtotype2SA1941 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor70Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5198	文件：122.54 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTypePowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：147.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198B	文件：227.93 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNtriplediffusionplanartransistor FEATURES ?Highbreakdownvoltage,VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941B ?TO-3Ppackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew APPLICATIONS ?Suitableforusein70Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
2SC5198OQ	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198-OQ	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5198-O-W-N-B	文件：238.92 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage?VCEO=140V(min) ●Complementaryto2SA1941 ●Recommendedfor70-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SC5198-R	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=140V(min) ?Complementaryto2SA1941 ?Suitableforusein70-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SC5198-O(Q,T)
功能描述：
兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 140V Ic 10A PC 100W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	2SC5198-O(Q,T)	TOSHIBA	24+	原廠封裝	7800	全新原裝	詢價(jià)
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