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2SC5200

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC5200

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5200

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5200

HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor

Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SC5200

SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SC5200

SiliconNPNTripleDiffusedTransistor

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

2SC5200

150WattSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

2SC5200

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5200

TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC5200

150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC5200-R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 230V 15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2SC5200-R供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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