2SC5226A-4-TL-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

2SC5226A-4-TL-E參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:2SC5226A-4-TL-E品牌:ON/安森美

公司只做原裝,誠信經營

2SC5226A-4-TL-E是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝SC-70/SC-70,SOT-323的2SC5226A-4-TL-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    2SC5226A-4-TL-E

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 內容頁數:

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    354.42 kb

  • 資料說明:

    RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    2SC5226A-4-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 20mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SC-70 / MCP3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市盈騰興電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯系人:

    李小姐

  • 手機:

    13728681908

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82739634-23941053

  • 傳真:

    0755-82701952

  • 地址:

    深圳市福田上步工業(yè)區(qū)101棟4樓H18