2SC5415AE-TD-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
2SC5415AE-TD-E
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
ON
庫存數量：
352
產品封裝：
SOT89
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-1 16:30:00

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原廠料號：2SC5415AE-TD-E品牌：ON

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2SC5415AE-TD-E是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON/onsemi生產封裝SOT89/TO-243AA的2SC5415AE-TD-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
2SC5415AE-TD-E
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
8 頁
文件大?。?/span>
296.02 kb
資料說明：
RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP

產品屬性

類型
描述
產品編號：
2SC5415AE-TD-E
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
6.7GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
800mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 30mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

供應商

企業(yè)：
深圳市賽特興科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱小姐
手機：
18988777135
詢價：
電話：
0755-83210599
傳真：
0755-83210599
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座1201A室

2SC5415AE-TD-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

2SC5415AE-TD-E

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