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2SC5509-T2-A

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE

NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES ?Idealformediumoutputpoweramplification ?NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz ?Maximumavailable

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SC5509-T2-A

包裝:托盤 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

CEL

California Eastern Labs

2SC5509-T2

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE

NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES ?Idealformediumoutputpoweramplification ?NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz ?Maximumavailable

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SC5509-T2

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER LOWNOISEHIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD FEATURES ?Idealformediumoutputpoweramplification ?NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz ?Maximumavailablepowergain:MAG=14dB

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5509-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    15GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    190mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多2SC5509-T2-A供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 16:40:00