2SC5551AF-TD-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
2SC5551AF-TD-E
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
ONSEMI/安森美半導體
庫存數量：
275000
產品封裝：
NA
生產批號：
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-25 10:36:00

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詳細信息
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原廠料號：2SC5551AF-TD-E品牌：ON/安森美

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2SC5551AF-TD-E是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝NA/TO-243AA的2SC5551AF-TD-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
2SC5551AF-TD-E
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
6 頁
文件大?。?/span>
299.98 kb
資料說明：
RF Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
2SC5551AF-TD-E
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
30V
頻率 - 躍遷：
3.5GHz
功率 - 最大值：
1.3W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
300mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

供應商

企業(yè)：
深圳市賽美科科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
雷小姐朱先生
手機：
13480875861
詢價：
電話：
0755-28309323 13480811379
傳真：
0755-28309323
地址：
深圳市龍崗區(qū)坂田街道光雅園商住區(qū)11棟908

2SC5551AF-TD-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

2SC5551AF-TD-E

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