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2SC6026分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SC6026
廠商型號

2SC6026

參數(shù)屬性

2SC6026 封裝/外殼為SC-101,SOT-883;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3

功能描述

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications

封裝外殼

SC-101,SOT-883

文件大小

132.56 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 22:58:00

2SC6026規(guī)格書詳情

General-Purpose Amplifier Applications

? High voltage and high current

: VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max)

? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)

? High hFE : hFE = 120~400

? Complementary to 2SA2154

? Lead (Pb) free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC6026CT-Y(TPL3)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 2mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-101,SOT-883

  • 供應商器件封裝:

    CST3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A CST3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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