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2SCR542D	文件：308.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·DCCurrentGainhFE:200-500@IC=0.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=30V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitching applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SCR542D	文件：498.89 Kbytes Page：6 Pages	Marking：TL；Package：CPT3；Midium Power Transistors (30V / 5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
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2SCR542PFRA	文件：1.40196 Mbytes Page：9 Pages	NPN5.0A30VMiddlePowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM

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更多2SCR542D供應(yīng)商更新時間2025-4-26 14:50:00