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2SCR567F3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SCR567F3
廠商型號

2SCR567F3
參數(shù)屬性

2SCR567F3 封裝/外殼為3-UDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
功能描述

NPN 2.5A 120V Middle Power Transistor
絲印標(biāo)識

NK
封裝外殼

DFN2020-3S / 3-UDFN 裸露焊盤
文件大小

1.55365 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM【羅姆】

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 10:06:00
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2SCR567F3規(guī)格書詳情

Features

1) Suitable for Middle Power Driver.

2) Low VCE(sat)

VCE(sat)=200mV(Max.).

(IC/IB=800mA/80mA)

3) High collector current.

IC=2.5A(max),ICP=5A(max)

4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)

Excellent thermal and electrical conductivity.

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SCR567F3TR

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 80mA，800mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    220MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    HUML2020L3

  • 描述：

    TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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