2SCR583D3分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2SCR583D3 |
參數屬性 | 2SCR583D3 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 50V 7A TO252 |
功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
332.76 Kbytes |
頁面數量 |
2 頁 |
生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-6 14:29:00 |
2SCR583D3規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
·Collector-emitter breakdown voltage
: BVCEO= 50V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 180-450@ (VCE= 3V, IC= 1A)
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)= 0.35V(Max)@ (IC= 3A, IB= 0.15A)
·Complement to Type 2SAR583D3
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as a driver in DC/DC converters and
actuators.
產品屬性
- 產品編號:
2SCR583D3TL1
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
350mV @ 150mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 1A,3V
- 頻率 - 躍遷:
280MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
TO-252
- 描述:
TRANS NPN 50V 7A TO252
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm Semiconductor |
24+ |
TO-252-3 DPak(2 引線 + 接片 |
9350 |
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詢價 | ||
ROHM |
21+ |
TO-252(DPAK) |
21000 |
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詢價 | ||
ROHM |
22+ |
TO-252-3 (DPAK) (SC-63) |
2500 |
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ROHM |
2023 |
NA |
2580 |
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ROHM Semiconductor |
2234 |
na |
2500 |
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ROHM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) (SC-63) |
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Rohm(羅姆) |
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ROHM/羅姆 |
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ROHM(羅姆) |
23+ |
TO-252-2 |
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三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT) |
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