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2SCR583D3分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SCR583D3
廠商型號

2SCR583D3

參數屬性

2SCR583D3 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 50V 7A TO252

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

332.76 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-6 14:29:00

2SCR583D3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-emitter breakdown voltage

: BVCEO= 50V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 180-450@ (VCE= 3V, IC= 1A)

·Low Saturation Voltage

: VCE(sat)= 0.35V(Max)@ (IC= 3A, IB= 0.15A)

·Complement to Type 2SAR583D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

產品屬性

  • 產品編號:

    2SCR583D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 150mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    280MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 7A TO252

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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