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2SD1187

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=80V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=6A ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Highpowerswitchingapplications ·DC-DCconverterandDC-ACinverterapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1187

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHPOWERSWITCHING,DC-DCCONVERTERANDDC-ACINVERTERAPPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS DC-DCCONVERTERANDDC-ACINVERTERAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SD1187Y

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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