首頁 >2SD1220O>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

2SD1220

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.2A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD1220

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.2A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD1220

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1220

PowerAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1220

SiliconNPNEpitaxialTransistor

Features PowerAmplifierApplications

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD1220

SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1220

NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications ?Complementaryto2SB905

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數

  • 型號：

    2SD1220O

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
24+
SOT252
2584
詢價
TOSHIBA
2017+
to251
28562
只做原裝正品假一賠十!
 詢價
TOS
22+23+
TO252
72677
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨
 詢價
TOSHIBA
24+
TO-251
16800
絕對原裝進口現貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
TOS
21+
TO252
2000
原裝現貨假一賠十
 詢價
TOSHIBA
1922+
to251
9200
公司原裝現貨假一罰十特價歡迎來電咨詢
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO252
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
2022
TO252
80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
TOS
619
TO252
2000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
1052
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
更多2SD1220O供應商 更新時間2025-3-14 16:30:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多