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2SD1248

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=4A ·LowCollectorSaturationVoltage APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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