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2SD1266分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD1266
廠商型號(hào)

2SD1266

參數(shù)屬性

2SD1266 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 3A TO220F-A1

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

64.709 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 22:58:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD1266

  • 別名:

    2SD1266三極管、2SD1266晶體管、2SD1266晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SD1593,2SD1666,2SD1761,2SD1972,2SD2164,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    35

2SD1266規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.2V(Max)@ IC= 3A

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V (Min)

? Good Linearity of hFE

? Complement to Type 2SB941

APPLICATIONS

? Designed for power amplification.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD1266AP

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-A1

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A TO220F-A1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PANASONIC
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