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2SD1286

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●HighhFE:hFE=2000to30000 ●Complementto2SB963-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1286

Marking：IPAK；Package：TO-251；isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1286-Z

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●HighhFE:hFE=2000to30000 ●Complementto2SB963-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1286-Z

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?WithTO-252(DPAK)packaging ?VeryhighDCcurrentgain ?Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode ?Complementtotype2SB963-Z ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATION

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1286-Z

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybrid IntegratedCircuits. FEATURES ?HighhFE=2000to30000 ?Complementto2SB963-Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1286-Z

SILICONPOWERTRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybrid IntegratedCircuits. FEATURES ?HighhFE=2000to30000 ?Complementto2SB963-Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1286-Z

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?WithTO-252(DPAK)packaging ?VeryhighDCcurrentgain ?Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode ?Complementtotype2SB963-Z ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATION

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1286-Z

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3

DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●HighhFE:hFE=2000to30000 ●Complementto2SB963-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1286

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SD842,2SD946,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

    β=8000

  • 圖片代號：

    B-45

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SD1286

  • 制造商：

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
24+
TO-252
6450
新進(jìn)庫存/原裝
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NEC
23+
TO-252
35890
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NEC
23+
TO-251
9960
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
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NEC
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24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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TOSHIBA/東芝
21+
TO-252
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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1922+
SOT-252
35689
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨
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NEC
23+
SOT-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NEC
2022
SOT-252
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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NEC
I-PAK
8560
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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更多2SD1286供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 16:30:00

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