2SD1407A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SD1407A |
| 參數(shù)屬性 | 2SD1407A 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 5A TO220NIS |
| 功能描述 | Power Amplifier Applications |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
137.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-21 18:31:00 |
| 人工找貨 | 2SD1407A價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
2SD1407A規(guī)格書詳情
Power Amplifier Applications
? High breakdown voltage: VCEO = 100 V
? Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max)
? Complementary to 2SB1016A
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2SD1407A-Y(F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 400mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，5V
- 頻率 - 躍遷：
12MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220NIS
- 描述：
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
11+ |
2227 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
TOS |
24+ |
TO-220 |
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TO-220F |
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24+ |
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TO220 |
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TO-220F |
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