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2SD1480	文件：46.01 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forpoweramplification Complementaryto2SB1052 ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkw	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1480	文件：253.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=2A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?ComplementtoType2SB1052 APPLICATIONS ?Designedforpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1481	文件：109.6 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES ?On-chipC-to-BZenerdiodeforsurgevoltageabsorption ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=1.5VMAX.(at1A) ?IdealforuseinadirectdrivefromICt	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SD1481	文件：277.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?On-chipC-to-BZenerdiodeforsurgevoltageabsorption ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A ?HighDCCurrentGain :hFE=2000(Min)@IC=1A ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceand	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1481	文件：258.589 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES ?On-chipC-to-BZenerdiodeforsurgevoltageabsorption ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=1.5VMAX.(at1A) ?IdealforuseinadirectdrivefromIC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1484K	文件：42.16 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (50V, 0.5A) Features 1)Highcurrent.(IC=0.5A) 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1484K	文件：36.96 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features ●Highcurrent.(IC=5A). ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1484KT146R	文件：81.02 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (50V,0.5A) Features 1)Highcurrent.(IC=0.5A) 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1485	文件：44.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) SiliconNPNtriplediffusionplanartype ForhighpoweramplificationComplementaryto2SB1054 ■Features ●ExtremelysatisfactorylinearityoftheforwardcurrenttransferratiohFE ●Wideareaofsafeoperation(ASO) ●HightransitionfrequencyfT ●Full-packpackagewhichcan	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1485	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A ·WideAreaofSafeOperation ·ComplementtoType2SB1054 APPLICATIONS ·Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1486	文件：39.46 Kbytes Page：1 Pages	Complementary pair with 2SB1055 SiNPNTripleDiffusedPlanar HighPowerAmplifier Complementarypairwith2SB1055 Features ●ExceptionallygoodlinearityofhFE ●Wideareaofsafeoperation(ASO) ●HighfT ●FullPackpackageforsimplifiedmountingonlyubyascrew,requiresnoinsulator.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1486	文件：139.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SB1055 ·HightransitionfrequencyfT ·SatisfactorylinearityofhFE ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1486	文件：147.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SB1055 ·HightransitionfrequencyfT ·SatisfactorylinearityofhFE ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1487	文件：39.3 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER HighPowerAmplifier ComplementaryPairwith2SB1056	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1487	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=5A ·WideAreaofSafeOperation ·ComplementtoType2SB1056 APPLICATIONS ·Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1488	文件：45.88 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER SiNPNTripleDiffusedPlanar HighPowerAmplifier ComplementaryPairwith2SB1057 Features ?ExceptionallygoodlinearityofhFE. ?Wideareaofsafeoperation(ASO) ?HighfT ?FullPackpackageforsimplifiedmountingonlybyascrew,requiresnoinsulator.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1488	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=7A ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SB1057 APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1489	文件：23.67 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application ?Lowfrequencypoweramplifier ?Complementarypairwith2SB1058	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1489	文件：144.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application ?Lowfrequencypoweramplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1484K	文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (50V,0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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晶體管資料

型號(hào)：
2SD1480
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開(kāi)關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
20MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD936F,2SC3540,2SD1060,2SD1585,2SD1985,2SD2012,2SD2061,3DD157A,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-45
vtest：
60
htest：
20000000
atest：
2
wtest：
25

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1480		24+	TO-220FA	10000	全新	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SD1480	MAT	1738+	TO-220F	8529	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	2SD1480	ISC	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	2SD1480	HITACHI	23+	TO-220F	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SD1480	MAT	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SD1480	TOSHIBA	23+		2800	正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SD1480	HITACHI	22+	TO-220F	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SD1480	HITACHI	24+	TO-TO-220F	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2SD1481	NEC	2339+		4231	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	2SD1481	NEC	24+		6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)

更多2SD148供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 16:00:00

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