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2SD1815T-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD1815T-E
廠商型號(hào)

2SD1815T-E

參數(shù)屬性

2SD1815T-E 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A TP

功能描述

High-Current Switching Applications

文件大小

523.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Sanyo Semicon Device
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SANYO三洋

中文名稱

三洋電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

2SD1815T-E規(guī)格書詳情

Features

? Low collector-to-emitter saturation voltage

? Excllent linearity of hFE

? Small-sized package permitting 2SB1215/2SD1815-applied sets to be made small and slim

? High fT

? Fast switching time

Applications

? Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD1815T-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 150mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    180MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TP

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SANYO/三洋
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