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2SD1816S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SD1816S-E |
| 參數(shù)屬性 | 2SD1816S-E 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 4A TP |
| 功能描述 | Bipolar Transistor |
| 文件大小 |
366.77 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-16 22:59:00 |
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2SD1816S-E規(guī)格書詳情
Features
? Low Collector to Emitter Saturation Voltage
? Small and Slim Package Facilitating Compactness of Sets
? High fT
? Good Linearity of hFE
? Fast Switching Time
Typical Applications
? Suitable for Relay Drivers
? High Speed Inverters
? Converters
? Other General High Current Switching Applications
2SD1816S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SD1816S-E晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
2SD1816S-E
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 200mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 500mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
180MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TP
- 描述：
TRANS NPN 100V 4A TP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
IPAK |
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