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2SD2012分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2012
廠商型號(hào)

2SD2012

參數(shù)屬性

2SD2012 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F

功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

1.01355 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
企業(yè)簡稱

FOSHAN藍(lán)箭電子

中文名稱

佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-16 18:32:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD2012

  • 別名:

    2SD2012三極管、2SD2012晶體管、2SD2012晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    3MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

    β=100-320

  • 圖片代號(hào):

    B-45

  • vtest:

    60

  • htest:

    3000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

2SD2012規(guī)格書詳情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

Features

Low VCE(sat),High total power dissipation, complementary pair with 2SB1375.

Applications

Audio frequency power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD2012

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
12+
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