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2SD2118TLQ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2118TLQ
廠商型號(hào)

2SD2118TLQ

參數(shù)屬性

2SD2118TLQ 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3

功能描述

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

159.27 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 13:44:00

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2SD2118TLQ規(guī)格書詳情

Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = 0.25V (Typ.)

(IC / IB = 4A / 0.1A)

2) Excellent DC current gain charac teristics.

3) Complements the

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD2118TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 5A CPT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
24+
TO-252
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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ROHM/羅姆
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ROHM
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SOT-252
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ROHM/羅姆
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
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13+PBF
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5000
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2022+
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SOT-252
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