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2SD2129分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2129
廠商型號

2SD2129

參數(shù)屬性

2SD2129 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220NIS

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

212.58 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Savantic, Inc.
企業(yè)簡稱

SAVANTIC

中文名稱

Savantic, Inc.

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-21 15:23:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2SD2129

  • 別名:

    2SD2129三極管、2SD2129晶體管、2SD2129晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SD1414,2SD1788,2SD1828,2SD2014,2SD2015,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β=2000-15000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    20

2SD2129規(guī)格書詳情

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·High power switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SD2129,LS4ALPSQ(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 12mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HIT
23+
原廠原裝
6000
全新原裝
詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
24+
TO-220F
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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TOSHIBA
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880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
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38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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