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2SD2165

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2165isasinglepowertransistordevelopedespeciallyforhighhFE.ThistransistorisidealforsimplifyingdrivecircuitsandreducingpowerdissipationbecauseitshFEisashighasthatofDar

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD2165

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=800(MIN)@(VCE=5V,IC=1A) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1V(MIN)@(IC=3V,IB=30mA) ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuselowfrequ

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2165

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2165_15

SILICON POWER TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD2165

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    HI_BETA

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    110MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SD1407,2SD1474,2SD1594,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β>800

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    110000000

  • atest:

    6

  • wtest:

    30

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SD2165

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD2165供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 16:30:00