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2SD2351T106W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2351T106W
廠商型號

2SD2351T106W

參數(shù)屬性

2SD2351T106W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.15A UMT3

功能描述

NPN 150mA 50V Muting Transistors

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

634.89 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-24 14:54:00

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2SD2351T106W規(guī)格書詳情

Features

1) High DC current gain.

2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V)

3) Lowsaturation voltage.

(Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SD2351T106W

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    820 @ 1mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UMT3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.15A UMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
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