2SD2561分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2SD2561 |
參數(shù)屬性 | 2SD2561 封裝/外殼為3-ESIP;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 150V 17A MT-200 |
功能描述 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose) |
封裝外殼 | 3-ESIP |
文件大小 |
24.27 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Sanken electric |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Sanken【三墾】 |
中文名稱 | 三墾電氣株式會(huì)社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-15 20:00:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2SD2561三極管、2SD2561晶體管、2SD2561晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-N+Darl
- 性質(zhì):
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
150V
- 最大電流允許值:
17A
- 最大工作頻率:
70MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
- 最大耗散功率:
200W
- 放大倍數(shù):
β=5000
- 圖片代號(hào):
H-107
- vtest:
150
- htest:
70000000
- atest:
17
- wtest:
200
2SD2561規(guī)格書詳情
2SD2561屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由三墾電氣株式會(huì)社制造生產(chǎn)的2SD2561晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1648)
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2SD2561
- 制造商:
Sanken
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 10mA,10A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
5000 @ 10A,4V
- 頻率 - 躍遷:
70MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
3-ESIP
- 供應(yīng)商器件封裝:
MT-200
- 描述:
TRANS NPN DARL 150V 17A MT-200
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三肯 |
24+ |
TO3PF |
58000 |
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