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POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) 3AMPEREPOWERTRANSISTOR60VOLT30WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER Complementto2SB507 | WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司 | WINGS | ||
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE PlanarRtpeSiliconTransistorForAFPOWERAmplifierUse | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Complementtotype2SB507 ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Designedfortheoutputstageof15Wto25WAFpoweramplifier | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplications. | DCCOM Dc Components | DCCOM | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Complementtotype2SB507 ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Designedfortheoutputstageof15Wto25WAFpoweramplifier | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor Features: *DCCurrentGainhFE=40-320@IC=1.0A *LowVCE(sat)≤1.0V(MAX)@IC=2.0A,IB=0.2A *ComplememtarytoNPN2SB507 | WEITRON Weitron Technology | WEITRON | ||
TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A ●DCCurrentGainhFE=40~320@IC=1A ●ComplementraytoPNP2SB507 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司 | WINNERJOIN | ||
Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features LowCurrentLowVoltage. Applications Lowfrequencypoweramplifierapplications. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司 | FOSHAN | ||
TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DCCurrentGainhFE=40~320@IC=1A ComplementraytoPNP2SB507 | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD313isdesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
8MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDY241A,BD243A,BD535,BD539A,BD577,BD935,D651,3DA4306,3DD30A,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-90
- vtest：
60
- htest：
8000000
- atest：
3
- wtest：
30
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SD31
- 制造商：
SANYO
- 制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
- 功能描述：
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
2024 |
TO220 |
13500 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
24+ |
47 |
詢價(jià) | |||||
SANYO |
16+ |
NA |
8800 |
原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ISKRA |
24+ |
原廠封裝 |
1700 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
進(jìn)口廠家 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
特價(jià)庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FSC |
2020+ |
TO220 |
5000 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
長(zhǎng)電 |
22+23+ |
TO-220-3L |
24803 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
12+ |
2500 |
原裝現(xiàn)貨/特價(jià) |
詢價(jià) |
