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2SD330

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=50V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=2.0A ·ComplementtoType2SB514 APPLICATIONS ·Especiallysuitedforuseinoutputstageof10WAFpoweramplifier.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD330

LowFrequencyPowerAmpApplications

2SD330,2SD331->NPN 2SB514,2SB515->PNP (+/-)50V/(+/-)2ALow-FrequencyPowerAmpApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SD330

50V/2ALow-FrequencyPowerAmpApplications?

PNP/NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistors Features ·Especiallysuitedforuseinoutputstageof10WAFPoweramplifier. ·Complementarypairwiththe2SB514and2SD313.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

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更多2SD330E供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 8:00:00

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