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2SD581

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=100V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=5A APPLICATIONS ·Designedfor40~60Waudioamplifierpoweroutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD581(A)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    150V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BDX11,2N5631,2SD675,2SD751,2SD1046,3DD162B,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    150

  • htest：

    999900

  • atest：

    7

  • wtest：

    60

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD581(A)供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 16:30:00

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