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2SD676

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=160V(Min) ?HighPowerDissipation-:PC=125W(Max)@TC=25℃ ?ComplementtoType2SB656 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD676(A)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    160V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    8MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD745F,2SC2607,2SC2608,2SD753,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    160

  • htest:

    8000000

  • atest:

    12

  • wtest:

    125

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SD676

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Power Transistors

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-3
10000
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ISC
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更多2SD676供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 10:20:00