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2SD860

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=250V(Min) ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?DesignedforAFpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD860

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    350V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BU406,BU408,BUW40,BUW40A,BUW40B,BUX85,DS33,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2SD861,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    350

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    40

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SD860

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Power Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD860供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 16:37:00