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2SD879L-AB3-R

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879L-T92-B

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879L-T92-B

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879L-T92-K

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879L-T92-K

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879L-T92-R

1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES InApplicationsWhereTwoNiCdBatteriesareUsedtorovide 2.4V,two2SD879sareused. Thechargetimeisapproximately1secondfasterThanthatof germaniumtransistors. LesspowerdissipationbecauseoflowCollector-to-Emitter VoltageVCE(sat),permittingmoreflashesoflight

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD879

TRANSISTOR(NPN)

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SD879

SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SD879

HighCollectorCurrent-IC=3.0A

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD879

1.5V,3VSTROBEAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD879

1.5V,3VSTROBEAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

DCCOM

Dc Components

2SD879

1.5V,3VSTROBEAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD879

1.5V,3VStrobeApplications

·InapplicationswheretwoNiCdbatteriesareusedtoprovide2.4V,two2SD879sareused. ·Thechargetimeisapproximately1secondfasterthanthatofgermaniumtransistors. ·LesspowerdissipationbecauseoflowCollector-toEmitterVoltageVCE(sat),permittingmoreflashesof

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SD879-TA

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES InApplicationsWhereTwoNiCdBatteriesareUsedtorovide 2.4V,two2SD879sareused. Thechargetimeisapproximately1secondfasterThanthatof germaniumtransistors. LesspowerdissipationbecauseoflowCollector-to-Emitter VoltageVCE(sat),permittingmoreflashesoflight

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

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更多2SD879L供應商 更新時間2025-1-18 13:20:00

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