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2SJ162-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SJ162-E
廠商型號

2SJ162-E

參數(shù)屬性

2SJ162-E 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO3P

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

71.09 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 17:02:00

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2SJ162-E規(guī)格書詳情

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058

? Good frequency characteristic

? High speed switching

? Wide area of safe operation

? Enhancement-mode

? Good complementary characteristics

? Equipped with gate protection diodes

? Suitable for audio power amplifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SJ162-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    P 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    7A(Ta)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±15V

  • 功率耗散(最大值):

    100W(Tc)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET P-CH 160V 7A TO3P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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