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P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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MOSFiedEffectTransistor

Features ?DirectlydrivenbyIcshavinga5Vpoersupply. ?Haslowon-stageresistance RDS(on)=1.5MAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.5A RDS(on)=1.0MAX.@VGS=-10V,ID=-0.5A ?BidircetionalZenerDiodeforprotectionisincorporatedbetweentGateandSource ?Inductiveloadscanbed

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

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P-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBsemi(微碧)
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SOT893
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更多2SJ179-VB供應商 更新時間2025-3-1 18:30:00

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