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2SJ199

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

P-CHANNELMOSFET FORSWITCHING

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ199

MOSFiedEffectTransistor

■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-1A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ199

P-CHANNELMOSFETFORSWITCHING

The2SJ199,P-chnnalverticaltypeMOSFET,isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybytheoutputofICshavinga5Vpowersource. Features ●DirectlydrivenbyICshavinga5Vpoersupply. ●Haslowon-stateresistance RDS(on)=2.5ΩMAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.5A RDS(on)=2.0

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多2SJ199(0)-T1-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 8:14:00

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