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2SJ200

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SJ200

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType

HighPowerAmplifierApplication ?Highbreakdownvoltage:VDSS=?180V ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Complementaryto2SK1529

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SJ200

HighPowerAmplifierApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SJ200

PCHANNELMOSTYPE(HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION)

HighPowerAmplifierApplication ?Highbreakdownvoltage:VDSS=?180V ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Complementaryto2SK1529

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SJ200

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-180V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SJ200-Y

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType

HighPowerAmplifierApplication ?Highbreakdownvoltage:VDSS=?180V ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Complementaryto2SK1529

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SJ200-Y(F)

  • 制造商：

    Toshiba

  • 功能描述：

    Pch -180V -10A 0.83@10V TO3P(N) Bulk

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN

  • 功能描述：

    MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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更多2SJ200-Y(F)供應(yīng)商 更新時間2025-3-1 17:12:00

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