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2SJ325

MOS Field Effect Power Transistors

Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=83mΩ(VGS=-10V,ID=-2A) RDS(on)=0.15Ω(VGS=-4V,ID=-1.6A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SJ325

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ325isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.08ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?2.0A) RDS(on)=0.15ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?1.6A) ?LowCis

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ325

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SJ325

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Pch -30V -4A 110m@10V TO251 Bulk

  • 功能描述:

    Pch -30V -4A 110m@10V TO251 Cut Tape

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Pch MOSFET,30V,4.0A,0.15ohm,TO-251

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SJ325供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 16:39:00