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2SJ326中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ326
廠商型號

2SJ326

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

1.8906 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 18:20:00

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2SJ326規(guī)格書詳情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ326 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for

solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

? Low On-state Resistance

RDS(on) = 0.28 Ω TYP. (VGS = ?10 V, ID = ?1.0 A)

RDS(on) = 0.50 Ω TYP. (VGS = ?4 V, ID = ?0.8 A)

? Low Ciss: Ciss = 320 pF TYP.

? Built-in G-S Gate Protection Diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SJ326

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Pch -60V -2A 370m@10V TO252 Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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